IGBT транзистор SGTP50V65FDB1P7 650 В 50 А | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
IGBT транзистор SGTP50V65FDB1P7 650 В 50 А
Документация

IGBT транзистор SGTP50V65FDB1P7 650 В 50 А

Код товара: SGTP50V65FDB1P7
83 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа SGTP50V65FDB1P7 в корпусе TO-247N-3L. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650 В. Ток коллектора составляет 50 А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель SILAN
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247N-3L
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 50 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,65 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ