IGBT транзистор SGTQ160U65SDM1PW 650 В 160 А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор SGTQ160U65SDM1PW 650 В 160 А

Код товара: SGTQ160U65SDM1PW
41 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа SGTQ160U65SDM1PW в корпусе TO-247P-3L. Напряжение коллектор-эмитер составляет 650 В. Ток коллектора составляет 160 А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель SILAN
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247P-3L
Напряжение коллектор-эмитер 650 В
Ток коллектора при 100⁰С 160 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,6 В