IGBT транзистор SGTQ200V75SDB1PW 750 В 200 А | купить силовой транзистор

IGBT транзистор SGTQ200V75SDB1PW 750 В 200 А

Код товара: SGTQ200V75SDB1PW
3 на внешнем складе (срок поставки 6-8 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

IGBT транзистор с кодом заказа SGTQ200V75SDB1PW в корпусе TO-247P-3L. Напряжение коллектор-эмитер составляет 750 В. Ток коллектора составляет 200 А. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.

Характеристики товара

Производитель SILAN
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247P-3L
Напряжение коллектор-эмитер 750 В
Ток коллектора при 100⁰С 200 А
Напряжение насыщения коллектор-эмитер 1,42 В