Транзистор IGBT SGW25N120, 1200 В, 313 Вт | купить силовой транзистор
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор IGBT SGW25N120, 1200 В, 313 Вт
Документация

Транзистор IGBT SGW25N120, 1200 В, 313 Вт

Код товара: SGW25N120
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор IGBT транзистор SGW25N120 производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 1200 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 46 А; при +100 °C: 25 А. Импульсный ток коллектора: 84 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: . Рассеиваемая мощность: 313 Вт.

Характеристики товара

Наличие Нет в наличии
Производитель Infineon
Тип дискретного компонента IGBT транзистор
Рассеиваемая мощность, Pd 313 Вт
Напряжение коллектор-эмитер 1200 В
Ток коллектора при 25⁰С 46 А
Ток коллектора при 100⁰С 25 А
Импульсный ток 84 А
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.