1+ |
5+ |
20+ |
|---|---|---|
| 563.79 руб. | 549.61 руб. | 524.83 руб. |
Транзистор IGBT транзистор SGW30N60FK производства Infineon. Напряжение коллектор–эмиттер: 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора при температуре корпуса +25 °C: 41 А; при +100 °C: 30 А. Импульсный ток коллектора: 112 А. Напряжение насыщения коллектор–эмиттер: 2.5 В. Рассеиваемая мощность: 250 Вт.
| Наличие | Со сроком поставки |
| Производитель | Infineon |
| Тип дискретного компонента | IGBT транзистор |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 250 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 600 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 41 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 30 А |
| Импульсный ток | 112 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмитер | 2,5 В |
.png)