Транзистор полевой (карбид кремния) ASC20N1200MT3PB производства AST Technology. N-канальный. 1200 В. Ток стока составляет 20 А. MOSFET на основе карбид кремния (SiC) это технология, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Кроме того, низкое сопротивление включения и компактный размер микросхемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитных помех и уменьшение размеров системы.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | AST Technology |
| Рабочие температуры | -55°С/175°С |
| Тип дискретного компонента | Транзистор полевой |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Ток стока, Id | 20 А |
| Полярность транзистора | N-канал |
| Напряжение пробоя сток-исток. Vds | 1200 В |
| RDS(on) | 160 мОм |
| Vgs | 15 В |
