Транзистор полевой (SiC MOSFET) ASC30N1200MT4PB 30 А 1200 В | купить цена оптом и в розницу
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор полевой (SiC MOSFET) ASC30N1200MT4PB 30 А 1200 В

Транзистор полевой (SiC MOSFET) ASC30N1200MT4PB 30 А 1200 В

Код товара: ASC30N1200MT4PB
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор полевой (карбид кремния) ASC30N1200MT4PB производства AST Technology. N-канальный. 1200 В. Ток стока составляет 30 А. MOSFET на основе карбид кремния (SiC) это технология, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Кроме того, низкое сопротивление включения и компактный размер микросхемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитных помех и уменьшение размеров системы.

Характеристики товара

Наличие Нет в наличии
Производитель AST Technology
Рабочие температуры -55°С/175°С
Тип дискретного компонента Транзистор полевой
Тип корпуса TO-247-4
Ток стока, Id 30 А
Полярность транзистора N-канал
Напряжение пробоя сток-исток. Vds 1200 В
RDS(on) 80 мОм
Vgs 15 В
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины от 2 000 ₽ без НДС.