Транзистор полевой (SiC MOSFET) IMBF170R1K0M1 5,2 А 1700 В

Транзистор полевой (карбид кремния) IMBF170R1K0M1 производства Infineon. N-канальный. 1700 В. Ток стока составляет 5.2 А.
MOSFET на основе карбид кремния (SiC) это технология, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Кроме того, низкое сопротивление включения и компактный размер микросхемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитных помех и уменьшение размеров системы.
Применение:
- Зарядка для электромобилей
- Инверторы постоянного и переменного тока
- Высоковольтные DC/DC-преобразователи
- Источники питания с коммутационным режимом
- Модули коррекции коэффициента мощности
- Моторные приводы