Эти приборы представляют собой N-канальные 1200 В силовые GaN HEMT, основанные на запатентованной технологии E-mode GaN on silicon.
Полученный в результате продукт имеет чрезвычайно низкое сопротивление в рабочем состоянии, очень низкую входную емкость и нулевой заряд обратного восстановления, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих превосходной плотности мощности, сверхвысокой частоты переключения и выдающейся эффективности.
Примененяется в импульсных источниках питания.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | TOKMAS |
| Сопротивление | 95 мОм |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Ток стока, Id | 15 А |
| Напряжение пробоя сток-исток. Vds | 1200 В |
| Импульсный ток | 30 А |
| Общий заряд затвора, Qg | 4,15 нКл |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 0 Кл |
| Предельная частота работы транзистора | 21,5 МГц |