GaN-on-Silicon enhancement mode транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) в корпусе WLCSP размерами 3,5 мм x 2,13 мм.
Области применения:
- Синхронный выпрямитель;
- Усилитель класса D;
- Высокочастотный DC-DC преобразователь;
- Станции связи;
- Драйвер двигателя.
Может быть использован в качестве аналога EPC2218.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | INNOSCIENCE |
| Сопротивление | 3,2 мОм макс. |
| Тип корпуса | WLCSP 3.5X2.13 |
| Ток стока, Id | 60 А |
| Напряжение пробоя сток-исток. Vds | 100 В |
| Импульсный ток | 230 А |
| Общий заряд затвора, Qg | 9,2 нКл |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 0 Кл |