GaN-on-Silicon enhancement mode транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) в корпусе WLCSP размерами 2,5 мм x 1,5 мм.
Области применения:
- Синхронный выпрямитель;
- Усилитель класса D;
- Высокочастотный DC-DC преобразователь;
- Станции связи;
- Драйвер двигателя.
Может быть использован в качестве аналога EPC2204.
Производитель | INNOSCIENCE |
Сопротивление | 7 мОм макс. |
Тип корпуса | WLCSP 2.5X1.5 |
Ток стока, Id | 29 А |
Напряжение пробоя сток-исток. Vds | 100 В |
Импульсный ток | 125 А |
Общий заряд затвора, Qg | 4,5 нКл |
Заряд обратного восстановления, Qrr | 0 Кл |