Транзистор полевой (GaN транзистор) INN100FQ025A 80 А 100 В 2,2 мОм (FCQFN 3X5) | транзистор на основе нитрида галлия купить цена оптом и в розницу
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор полевой (GaN транзистор) INN100FQ025A 80 А 100 В 2,2 мОм (FCQFN 3X5)
Документация

Транзистор полевой (GaN транзистор) INN100FQ025A 80 А 100 В 2,2 мОм (FCQFN 3X5)

Код товара: INN100FQ025A
250 на внешнем складе (срок поставки 10-12 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор на основе нитрида галлия (GaN HEMTs) с кодом заказа INN100FQ025A в корпусе FCQFN 3X5. Напряжение 100 В. Ток стока составляет 80 А. Сопротивление 2,2 мОм
Применение
- Высокочастотный DC-DC преобразователь
- Защита BMS
- Отслеживание радиочастотной огибающей
- Зарядное устройство для ПК
- Мобильный банк питания
- Драйвер двигателя

Характеристики товара

Производитель INNOSCIENCE
Сопротивление 2,2 мОм
Тип корпуса FCQFN 3X5
Ток стока, Id 80 А
Напряжение пробоя сток-исток. Vds 100 В
Импульсный ток 320 А
Общий заряд затвора, Qg 14 нКл
Заряд обратного восстановления, Qrr 0 Кл
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ