Трансформаторы GDT (Gate Drive Transformers) серии B82804A

Компания Epcos осуществляет выпуск серии импульсных трансформаторов (Gate Drive Transformers) B82804A для гальванической развязки и управления изолированным затвором транзисторов MOSFET и IGBT, работающих на частоте от 150 кГц до нескольких Мегагерц.

Основные области применения GDT трансформаторов: AC/DC преобразователи, блоки питания, преобразователи частоты и другое мощное силовое оборудование.

Компоненты изготавливаются на основе сердечников конфигурации EP5, сравнительно малые размеры которых позволяют значительно сократить место на плате даже при использовании сразу нескольких трансформаторов. У всех трансформаторов серии B82804A напряжение развязки составляет 1500 В. Выпускаемые Epcos элементы рассчитаны на температуру среды до 85°C и номинальную температуру до 125°C.

Среди преимуществ применения импульсных трансформаторов в схемах драйверов MOSFET можно выделить:

Миниатюрные размеры (8,1мм x 6,7мм x 5,4мм)
Малые паразитные емкости от 25 до 95 пФ
Малая индуктивность рассеяния от 0,9 до 2,5 мкГн
Минимальное время задержки
Надежность при эксплуатации
Длительный срок службы
Стабильность параметров

Технические характеристики трансформаторов GDT

L, мкГн	Чертеж	Соотношение числа витков	R(DC)_{первич.},Ом	R(DC)_{вторич.},Ом	f_рез., МГц	Код заказа
300	Рисунок 3 А	2.5:1:1	1,8	0,3	2,6	B82804A0304A225
317	Рисунок 3 А	2:1:1	1,6	0,45	2	B82804A0324A220
264	Рисунок 3 А	1:1:1	1,5	1,5	2,9	B82804A0264A210
350	Рисунок 3 В	1:1	1	0,65	1,2	B82804A0354A110
690	Рисунок 3 В	1.5:1	1,65	0,86	0,7	B82804A0694A115
473	Рисунок 3 В	2.5:1	1,5	0,3	1,7	B82804A0474A125

Дополнительная информация

Более подробно особенности применения и характеристики трансформаторов (Gate Drive Transformers) серии B82804A рассмотрены в статье:
Перспективы применения новой серии импульсных трансформаторов Epcos B82804A в схемах управления затвором MOSFET

Товар добавлен в корзину

Продолжить покупки Оформить заказ