Силовой IGBT модуль с кодом заказа MG150HF12TFC1. Напряжение коллектор-эмитер составляет 1200В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 968 Вт. Силовой IGBT модуль MG150HF12TFC1 производства YANGJIE является аналогом силового IGBT модуля SKM150GB12T4 производства Semikron и аналогом силового IGBT модуля GD150HFY120C1S производства STARPOWER. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
| Наличие | Нет в наличии |
| Производитель | YANGJIE |
| Тип дискретного компонента | IGBT модуль |
| Рассеиваемая мощность, Pd | 968 Вт |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора при 25⁰С | 250 А |
| Ток коллектора при 100⁰С | 150 А |
