Транзистор на основе нитрида галлия (GaN) SG1435VS

SG1435VS - 350-ваттный GaN HEMT с внутренним согласованием, разработанный для применения в импульсных усилителях с частотами от 960 до 1400 МГц. При использовании в более узкой полосе 1030-1090 МГц он может быть транзистором мощностью 400 Вт.
Рекомендуется использовать это устройство только в импульсном режиме, и номинальная мощность будет отличаться в зависимости от ширины импульса и рабочего цикла.
Применение и особенности:
- Подходит для широкополосного применения в каналах передачи данных L-диапазона, в приложениях авионики;
- Термически улучшенный стандартный промышленный корпус;
- Высоконадежный процесс металлизации;
- Превосходная термическая стабильность и отличная прочность
- Соответствует директиве 2002/95/EC об ограничении содержания опасных веществ (RoHS).