Транзистор полевой (GaN транзистор) INN030FQ015A 60 А 30 В 1,2 мОм (FCQFN 5X4) | gan hemt транзистор купить цена оптом и в розницу
tdk magnetics exxelia ferroxcube
Старая версия сайта
Продукция
Транзистор полевой (GaN транзистор) INN030FQ015A 60 А 30 В 1,2 мОм (FCQFN 5X4)
Документация

Транзистор полевой (GaN транзистор) INN030FQ015A 60 А 30 В 1,2 мОм (FCQFN 5X4)

Код товара: INN030FQ015A
210 на внешнем складе (срок поставки 10-12 недель)
Цена указана за единицу товара без НДС 20%
Ед.
Поставляется в штуках.
Заказать образцы

Транзистор на основе нитрида галлия (GaN HEMTs) с кодом заказа INN030FQ015A в корпусе FCQFN 5X4. Напряжение 30 В. Ток стока составляет 60 А. Сопротивление 1,2 мОм
Применение
- Высокочастотный DC-DC преобразователь
- Зарядное устройство
- Система управления аккумулятором
- Ноутбук
- Промышленность

Характеристики товара

Производитель INNOSCIENCE
Сопротивление 1,2 мОм
Тип корпуса FCQFN 5X4
Ток стока, Id 60 А
Напряжение пробоя сток-исток. Vds 30 В
Импульсный ток 300 А
Общий заряд затвора, Qg 22,8 нКл
Заряд обратного восстановления, Qrr 0 Кл
Товар добавлен в корзину
Продолжить покупки Оформить заказ