Транзисторы и транзисторные модули
В разделе:
1367 позиции
- IGBT модули
- MOSFET модули
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBT)
- Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
- Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)
- Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)
Название
Цена
Количество
Наличие
Производитель
Тип дискретного компонента
Рассеиваемая мощность, Pd
Напряжение коллектор-эмитер
Ток коллектора при 25⁰С
Ток коллектора при 100⁰С
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
2307 Вт
1200 В
450 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
2307 Вт
1200 В
450 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
2500 Вт
1200 В
450 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
227 Вт
1200 В
40 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
312 Вт
1200 В
40 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1925 Вт
1200 В
400 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
215 Вт
1200 В
35 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
227 Вт
1200 В
35 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1700 Вт
1200 В
300 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
2000 Вт
1200 В
300 А
Товар добавлен в корзину
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины
от 2 000 ₽ без НДС.