Транзисторы и транзисторные модули
В разделе:
1367 позиции
- IGBT модули
- MOSFET модули
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBT)
- Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
- Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)
- Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)
Название
Цена
Количество
Наличие
Производитель
Тип дискретного компонента
Рассеиваемая мощность, Pd
Напряжение коллектор-эмитер
Ток коллектора при 25⁰С
Ток коллектора при 100⁰С
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
2083 Вт
1200 В
300 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
175 Вт
1200 В
25 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
166 Вт
1200 В
25 А
| 1+ | 2 012.96 руб. |
| 3+ | 1 847.31 руб. |
| 10+ | 1 751.04 руб. |
нет в наличии
7 Срок поставки 9 дней
7 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
YANGJIE
IGBT модуль
158 Вт
1200 В
25 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1250 Вт
1200 В
200 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1250 Вт
1200 В
200 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1150 Вт
1200 В
300 А
200 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1358 Вт
1200 В
200 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
155 Вт
1200 В
15 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
155 Вт
1200 В
15 А
Товар добавлен в корзину
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины
от 2 000 ₽ без НДС.