Транзисторы и транзисторные модули
В разделе:
1367 позиции
- IGBT модули
- MOSFET модули
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBT)
- Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
- Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)
- Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)
Название
Цена
Количество
Наличие
Производитель
Тип дискретного компонента
Рассеиваемая мощность, Pd
Напряжение коллектор-эмитер
Ток коллектора при 25⁰С
Ток коллектора при 100⁰С
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
142 Вт
1200 В
15 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
833 Вт
1200 В
150 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1150 Вт
1200 В
150 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
880 Вт
1200 В
210 А
150 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
1136 Вт
1200 В
150 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
140 Вт
1200 В
10 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
140 Вт
1200 В
10 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
120 Вт
1200 В
10 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
625 Вт
1200 В
100 А
| 1+ | 3 435.90 руб. |
| 3+ | 3 169.29 руб. |
| 6+ | 3 014.37 руб. |
нет в наличии
24 Срок поставки 9 дней
24 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
YANGJIE
IGBT модуль
785 Вт
1200 В
100 А
Товар добавлен в корзину
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины
от 2 000 ₽ без НДС.