Катушки индуктивности SunLord
Компания Shenzhen Sunlord Electronics Co., Ltd. (Sunlord) является ведущим разработчиком и производителем различных пассивных электронных компонентов, таких как:
- Катушки индуктивности, дроссели
- Трансформаторы
- Компоненты электромагнитной защиты (синфазные фильтры, бусины)
- Датчики (варисторы, NTC термисторы)
- Радиочастотные компоненты (антенны, диплексеры, балуны)
- Танталовые конденсаторы
Компания Sunlord основана в 2000 году, имеет 8 собственных фабрик, расположенных в Китае. Вся продукция компании Sunlord сертифицирована на соответствие международным стандартам.
В 2011 году компания Sunlord открыла собственный исследовательский центр площадью около 5000 м2. Центр включает в себя физико-химическую лабораторию, лабораторию испытаний надежности, исследовательскую лабораторию электрических испытаний, лабораторию моделирования и экспериментальную лабораторию. Исследовательский центр Sunlord владеет многочисленными передовыми контрольно-измерительными приборами и программным обеспечением для моделирования, которые обеспечивают структурный анализ, характеристику материалов, анализ механизмов отказа, исследования электрических характеристик, испытания на электромагнитную совместимость, моделирование магнитных устройств, эксперименты в области НИОКР и мелкосерийное производство электронных материалов.
Продукция компании Sunlord широко используется в промышленной силовой электронике, бытовой технике, системах безопасности, светотехнике, медицинском оборудовании, автомобильной промышленности.
Ассортимент компании Sunlord
Высокочастотные катушки индуктивности
| Серия | Фото | Особенности |
Индуктивность нГн |
Номинальный ток мА |
|
|---|---|---|---|---|---|
| SDHL1608 |
 |
Многослойная чип индуктивность Высокий частотный диапазон индуктивности |
10-180 | 150-500 |
|
| SDCL0402Q |
 |
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,3-22 | 120-990 |
|
|
SDCL0603Q |
 |
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,6-120 |
80-850 |
|
|
SDCL1005 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,6-360 |
50-800 |
|
|
SDCL1608 |
|
Многослойная чип индуктивность | 1,0-680 | 100-500 | |
| HQ0201Q |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,3-10 | 130-650 |
|
| HQ0402Q |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,2-56 |
100-1000 | |
| HQ0603Q |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,6-150 |
80-110 |
|
|
HQ0402H |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,2-33 |
120-9900 |
|
|
HQ0603H |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,6-47 |
130-1000 |
|
| UHQ0402H |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,2-20 |
140-990 |
|
| MWSD0603C |
 |
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
1,0-15 |
230-900 |
|
|
MWSD0804C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,8-56 |
130-1800 |
|
|
MWSD1005C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
0,8-270 |
100-1000 |
|
|
MWSD1608C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
3,3-560 |
70-850 |
|
|
MWSD1005CH |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
56-220 |
160-360 |
|
|
MWSD1005CP |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
1,0-51 | 360-2300 | |
| SDWL2012C |
 |
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
2,2-4700 |
30-600 |
|
|
SDWL2520C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
3,6-22000 |
70-1000 |
|
|
SDWL3216C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
3,3-1200 |
300-1000 |
|
|
SDWL3225C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
3,9-22000 |
100-1000 |
|
|
SDWL4532C |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность |
24-33000 |
145-1000 |
|
|
SDWL2012CP |
|
Многослойная чип индуктивность Высокая добротность Низкое сопротивление постоянному току индуктивности |
2,6-820 |
180-2000 |
|
Силовые катушки индуктивности
| Серия | Фото | Особенности |
Индуктивность мкГн |
Номинальный ток мА |
|
|---|---|---|---|---|---|
| MCL1608 |
 |
Многослойная чип индуктивность | 0,1-10 | 50-700 |
|
| MCL2012 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,1-10 |
60-1000 | |
| MCL2012A |
|
Многослойная чип индуктивность |
1,0-10 |
150-450 |
|
| MCL2016A |
|
Многослойная чип индуктивность |
1,0-4,7 |
100-900 |
|
| MCL2520A |
|
Многослойная чип индуктивность |
1,0-4,7 |
250-750 |
|
| MPH1608 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,22-10 |
60-1350 |
|
| MPH2012 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,22-10 |
110-1200 |
|
| MPH2016 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,47-10 |
170-1350 | |
| MPH2520 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,47-10 |
210-1750 | |
| MPHM1608 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,47-4,7 |
70-1000 |
|
| SWPA2520 |
 |
Проволочная | 0,47-22 |
380-2350 |
|
|
SWPA30 |
|
Проволочная |
0,22-150 |
190-3000 |
|
|
SWPA40 |
|
Проволочная |
0,24-680 | 140-4560 | |
|
SWPA50 |
|
Проволочная |
0,22-680 |
250-6600 |
|
|
SWPA60 |
|
Проволочная |
0,47-680 |
330-6500 |
|
|
SWPA80 |
|
Проволочная |
0,68-680 |
460-7500 |
|
| SPH2016H/U |
|
Проволочная Низкое сопротивление постоянному току индуктивности |
0,05-10 |
450-3650 |
|
|
SPH2520 |
|
Проволочная Низкое сопротивление постоянному току индуктивности |
0,16-82 |
300-4050 |
|
|
SPH30 |
|
Проволочная Низкое сопротивление постоянному току индуктивности |
0,22-47 |
450-3050 |
|
|
SPH40 |
|
Проволочная Низкое сопротивление постоянному току индуктивности |
0,1-330 | 200-4200 | |
|
SWRB1204S SWRB1205S SWRB1207S |
 |
Проволочная |
1,0-1000 | 480-10000 |
|
| SWRH-DR |
|
Проволочная | 1,2-4,7 |
140-1850 |
|
|
SWRH-DS |
 |
Проволочная |
1,0-1000 | 140-5200 |
|
|
SWRH-DC |
|
Проволочная | 1,5-100 | 750-6000 |
|
|
SWRH-B |
 |
Проволочная |
1,0-1000 | 190-13000 |
|
|
SWRH-C |
 |
Проволочная | 1,0-820 | 230-6500 |
|
Сигнальные катушки индуктивности
| Серия | Фото | Особенности |
Индуктивность мкГн |
Номинальный ток мА |
|
|---|---|---|---|---|---|
| SDFL1005 |
|
Многослойная чип индуктивность | 0,047-3.3 |
10-25 |
|
|
SDFL1608 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,047-33 |
1-50 | |
|
SDFL2012 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,047-47 |
4-300 | |
|
SDFL3216 |
|
Многослойная чип индуктивность |
0,047-47 |
5-300 | |
| MCL1005N |
|
Многослойная чип индуктивность для NFC |
0,077-0,56 |
250-550 |
|
| MCL1608N |
|
Многослойная чип индуктивность для NFC |
0,077-0,82 |
0,077-0,82 |
|
| MWSD0603F |
 |
Проволочная |
0,033-0,2 |
110-340 |
|
|
MWSD0703F |
|
Проволочная |
0,027-0,56 |
90-480 | |
|
MWSD1005F |
|
Проволочная |
0,018-2,2 |
170-2200 | |
| MWSD1608F |
|
Проволочная |
0,0049-47 |
50-2600 |
|
| SDWL2012FW |
 |
Проволочная чип индуктивность | 0,27-68 | 40-350 |
|
|
SDWL2520FW |
|
Проволочная чип индуктивность |
0,33-10 | 300-700 | |
|
SDWL3216FW |
|
Проволочная чип индуктивность |
1,5-18 | 130-320 | |
|
SDWL3225FW |
|
Проволочная чип индуктивность |
00,12-12 | 140-450 |
Товар добавлен в корзину