Транзисторы и транзисторные модули
В разделе:
1367 позиции
- IGBT модули
- MOSFET модули
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBT)
- Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
- Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)
- Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)
Название
Цена
Количество
Наличие
Производитель
Тип дискретного компонента
Рассеиваемая мощность, Pd
Напряжение коллектор-эмитер
Ток коллектора при 25⁰С
Ток коллектора при 100⁰С
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT модуль
441 Вт
1200 В
100 А
| 1+ | 3 586.41 руб. |
| 3+ | 3 347.16 руб. |
| 10+ | 3 191.07 руб. |
нет в наличии
45 Срок поставки 9 дней
45 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
YANGJIE
IGBT модуль
675 Вт
1200 В
150 А
100 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
650 В
120 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
75 А
| 1+ | 750.52 руб. |
| 7+ | 680.76 руб. |
| 30+ | 640.20 руб. |
нет в наличии
22 Срок поставки 9 дней
22 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
75 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
50 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
650 В
50 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
40 А
| 1+ | 302.77 руб. |
| 15+ | 270.80 руб. |
| 60+ | 252.19 руб. |
нет в наличии
81 Срок поставки 9 дней
81 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
40 А
| 1+ | 362.26 руб. |
| 13+ | 324.92 руб. |
| 60+ | 303.19 руб. |
нет в наличии
177 Срок поставки 9 дней
177 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
40 А
Товар добавлен в корзину
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины
от 2 000 ₽ без НДС.