Транзисторы и транзисторные модули
В разделе:
1367 позиции
- IGBT модули
- MOSFET модули
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBT)
- Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)
- Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN)
- Транзисторы Полевые (FET, MOSFET)
Название
Цена
Количество
Наличие
Производитель
Тип дискретного компонента
Рассеиваемая мощность, Pd
Напряжение коллектор-эмитер
Ток коллектора при 25⁰С
Ток коллектора при 100⁰С
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
650 В
30 А
| 1+ | 229.04 руб. |
| 19+ | 203.83 руб. |
| 90+ | 189.14 руб. |
нет в наличии
57 Срок поставки 9 дней
57 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
25 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
600 В
20 А
| 1+ | 122.34 руб. |
| 18+ | 112.89 руб. |
| 90+ | 107.16 руб. |
нет в наличии
22 Срок поставки 9 дней
22 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
15 А
| 1+ | 41.02 руб. |
| 50+ | 36.99 руб. |
| 200+ | 34.53 руб. |
нет в наличии
160 Срок поставки 9 дней
160 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
600 В
15 А
| 1+ | 164.33 руб. |
| 23+ | 145.55 руб. |
| 100+ | 134.60 руб. |
нет в наличии
49 Срок поставки 9 дней
49 Срок поставки 9 дней
Со сроком поставки
STARPOWER
IGBT транзистор
600 В
10 А
Нет в наличии
STARPOWER
IGBT транзистор
1200 В
10 А
нет в наличии
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT транзистор
650 В
75 А
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT транзистор
650 В
75 А
нет в наличии
Нет в наличии
YANGJIE
IGBT транзистор
650 В
75 А
Товар добавлен в корзину
Минимальная сумма заказа
Оформление заказа возможно при сумме корзины
от 2 000 ₽ без НДС.